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单片机论坛 - 单片机专区 - 方案设计技巧及应用实例 - [讨论]  驱动器的电子电路可通过测量di/dt或者监测vce检测短
当前主题: [讨论]  驱动器的电子电路可通过测量di/dt或者监测vce检测短 ( 人气:1481 回复:0 )    
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迷幻的小妖
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[讨论]  驱动器的电子电路可通过测量di/dt或者监测vce检测短 


  如果短路时负载带有较大的电,如在电源侧,集电极电流上升速度更加缓慢。在这种情况下,vce阈值必须做相应的调整。为了能够在过流检测中使用vce方法,可使用多级vce监测。此时,定义几个带给定参考时间的跳变阈值。但是,这种方法的缺点是温度不同会导致测量结果完全不一样,以及要调整给定系统各级所涉及的因素也是非常复杂的。一般来说,更为有效和可靠的检测慢速过电流方法是采用集成电流传感器。

  除了快速错误检测,对短路做出有效和可靠的响应也是至关重要的。如果驱动器用在多级应用中或者用于驱动同步电机,主控制器应负责系统的关闭。在这种情况下,驱动器只发送隔离错误信号到控制器并等待指令。例如,在多级应用中,如果驱动器直接关断功率半导体,然后发送信号给控制器,那么在整个信号传输和响应时间内整个直流环节电压可能施加在一个igbt上。这将导致模块的损坏。然而,在大部分应用中,让驱动器直接关断功率模块更加安全。驱动器可以更迅速地做出响应,因为它无需等待信号传输过程完成,可从二次侧独立关断模块。驱动器可确保关断短路电流时避免产生电压尖峰,通过一个软关断或二级关断功能的途径实现。此时,驱动器关断具有更大栅极电阻的igbt更慢,这样作保护模块,使其免超安全工作区(soa)。

IGBT   IGBT模块  

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发表时间: 2/4/2013 4:18:37 PM

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